Load impedance influence of the IDD(VDS) characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in large signal regime at 4 GHz - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2002

Load impedance influence of the IDD(VDS) characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in large signal regime at 4 GHz

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-00149699

Soumis le : lundi 28 mai 2007-11:04:14

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149699 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149699 , version 1

Citer

Nicolas Vellas, Christophe Gaquière, Frédéric Bue-Erkmen, Yannick Guhel, B. Boudart, et al.. Load impedance influence of the IDD(VDS) characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in large signal regime at 4 GHz. IEEE Electron Device Letters, 2002, 23, pp.246-249. ⟨hal-00149699⟩

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