Non-quasi-static transient model of fully-depleted SOI MOSFET and its application to the analysis of charge sharing in an analog switch - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2002

Non-quasi-static transient model of fully-depleted SOI MOSFET and its application to the analysis of charge sharing in an analog switch

Emmanuel Dubois
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV
E. Robilliart
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00148743

Soumis le : mercredi 23 mai 2007-10:20:37

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00148743 , version 1 (23-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00148743 , version 1

Citer

Emmanuel Dubois, E. Robilliart. Non-quasi-static transient model of fully-depleted SOI MOSFET and its application to the analysis of charge sharing in an analog switch. IEEE Electron Device Letters, 2002, 23, pp.43-45. ⟨hal-00148743⟩

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