Low Schottky barrier source/drain for advanced MOS architecture : device design and material consideration - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2002

Low Schottky barrier source/drain for advanced MOS architecture : device design and material consideration

Emmanuel Dubois
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV
G. Larrieu
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00148735

Soumis le : mercredi 23 mai 2007-10:20:26

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00148735 , version 1 (23-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00148735 , version 1

Citer

Emmanuel Dubois, G. Larrieu. Low Schottky barrier source/drain for advanced MOS architecture : device design and material consideration. Solid-State Electronics, 2002, 46, pp.997-1004. ⟨hal-00148735⟩

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