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Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density

D. Vignaud
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Jean-Francois Lampin
E. Lefebvre
  • Fonction : Auteur
M. Zaknoune
F. Mollot

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https://hal.science/hal-00148650

Soumis le : mercredi 23 mai 2007-08:50:01

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00148650 , version 1 (23-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00148650 , version 1

Citer

D. Vignaud, Jean-Francois Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot. Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density. 2002, pp.503-506. ⟨hal-00148650⟩

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