Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2002
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https://hal.science/hal-00148648
Soumis le : mercredi 23 mai 2007-08:50:01
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00148648 , version 1
Citer
D. Vignaud, Jean-Francois Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot. Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density. Applied Physics Letters, 2002, 80, pp.4151-4153. ⟨hal-00148648⟩
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