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Potentialités des hétérostructures GaSb/AlxGa1-xSb/InAs sur substrat GaAs pour la réalisation de HEMT en vue d'applications faible bruit en ondes millimétriques

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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00148635
Contributor : Collection Iemn Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Wednesday, May 23, 2007 - 8:27:45 AM
Last modification on : Wednesday, March 23, 2022 - 3:50:20 PM

Identifiers

  • HAL Id : hal-00148635, version 1

Citation

H. Boutry. Potentialités des hétérostructures GaSb/AlxGa1-xSb/InAs sur substrat GaAs pour la réalisation de HEMT en vue d'applications faible bruit en ondes millimétriques. 2002. ⟨hal-00148635⟩

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