Potentialités des hétérostructures GaSb/AlxGa1-xSb/InAs sur substrat GaAs pour la réalisation de HEMT en vue d'applications faible bruit en ondes millimétriques - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Autre Publication Scientifique Année : 2002

Potentialités des hétérostructures GaSb/AlxGa1-xSb/InAs sur substrat GaAs pour la réalisation de HEMT en vue d'applications faible bruit en ondes millimétriques

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Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-00148635

Soumis le : mercredi 23 mai 2007-08:27:45

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00148635 , version 1 (23-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00148635 , version 1

Citer

Hervé Boutry. Potentialités des hétérostructures GaSb/AlxGa1-xSb/InAs sur substrat GaAs pour la réalisation de HEMT en vue d'applications faible bruit en ondes millimétriques. 2002. ⟨hal-00148635⟩

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