fmax of 490 GHz metamorphic In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs on GaAs substrate

S. Bollaert; Y. Cordier; M. Zaknoune; T. Parenty; H. Happy; Sylvie Lepilliet; A. Cappy

Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2002

fmax of 490 GHz metamorphic In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs on GaAs substrate

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S. Bollaert

Fonction : Auteur
PersonId : 746374
IdHAL : sylvain-bollaert
ORCID : 0000-0002-3812-4389
IdRef : 108875415

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Y. Cordier

Fonction : Auteur
PersonId : 750365
IdHAL : yvon-cordier
ORCID : 0000-0003-3720-9409
IdRef : 128170794

M. Zaknoune

Fonction : Auteur
PersonId : 747548
IdHAL : mohammed-zaknoune

T. Parenty

Fonction : Auteur

H. Happy

Fonction : Auteur
PersonId : 748086
IdHAL : henri-happy
ORCID : 0000-0003-2065-8080
IdRef : 103891455

Sylvie Lepilliet

Fonction : Auteur
PersonId : 745478
IdHAL : sylvie-lepilliet

A. Cappy

Fonction : Auteur
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IdHAL : alain-cappy
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IdRef : 056754701

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Soumis le : lundi 21 mai 2007-10:48:53

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00147831 , version 1 (21-05-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00147831 , version 1

Citer

S. Bollaert, Y. Cordier, M. Zaknoune, T. Parenty, H. Happy, et al.. fmax of 490 GHz metamorphic In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs on GaAs substrate. Electronics Letters, 2002, 38, pp.389-391. ⟨hal-00147831⟩

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