In-depth Investigation of Hf-based High-k Dielectrics as Storage Layer of Charge-Trap - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

In-depth Investigation of Hf-based High-k Dielectrics as Storage Layer of Charge-Trap

J. Buckley
  • Fonction : Auteur
Marc Bocquet
CV
G. Molas
  • Fonction : Auteur
M. Gely
  • Fonction : Auteur
P. Brianceau
  • Fonction : Auteur
N. Rochat
  • Fonction : Auteur
E. Martinez
F. Martin
  • Fonction : Auteur
H. Grampeix
  • Fonction : Auteur
J.P. Colonna
  • Fonction : Auteur
V. Vidal
  • Fonction : Auteur
Cédric Leroux
  • Fonction : Auteur
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
CV
G. Pananakakis
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
C. Bongiorno
  • Fonction : Auteur
D. Corso
  • Fonction : Auteur
S. Lombardo
  • Fonction : Auteur
B. Desalvo
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00147137

Soumis le : mercredi 16 mai 2007-08:58:19

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:51:57

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00147137 , version 1 (16-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00147137 , version 1

Citer

J. Buckley, Marc Bocquet, G. Molas, M. Gely, P. Brianceau, et al.. In-depth Investigation of Hf-based High-k Dielectrics as Storage Layer of Charge-Trap. NVMsIEDM 2006, 2006, San Francisco, United States. pp.XX. ⟨hal-00147137⟩

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