Sub 0.1 µm – InP based HEMTs for high power and high frequency - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Sub 0.1 µm – InP based HEMTs for high power and high frequency

D. Theron
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
F Medjdoub
M. Zaknoune
X. Wallart
F. Dessenne
R. Fauquembergue
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00146719

Soumis le : mardi 15 mai 2007-11:41:28

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146719 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146719 , version 1

Citer

D. Theron, F Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, F. Dessenne, et al.. Sub 0.1 µm – InP based HEMTs for high power and high frequency. Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2003, 2003, Atlanta, GA, United States. ⟨hal-00146719⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
14 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More