Influence de la température sur les caractéristiques pulsées statiques et hyperfréquences des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium résistif (111)

M. Werquin; Christophe Gaquière; N. Vellas; E. Delos; D. Ducatteau; Y. Cordier; S. Delage; Jean-Claude de Jaeger

Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Influence de la température sur les caractéristiques pulsées statiques et hyperfréquences des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium résistif (111)

(1) , , , , , , ,

1

M. Werquin

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Christophe Gaquière

Fonction : Auteur
PersonId : 746853
IdHAL : christophe-gaquiere
ORCID : 0000-0003-3082-2489
IdRef : 059765615

N. Vellas

Fonction : Auteur

E. Delos

Fonction : Auteur

D. Ducatteau

Fonction : Auteur

Y. Cordier

Fonction : Auteur
PersonId : 750365
IdHAL : yvon-cordier
ORCID : 0000-0003-3720-9409
IdRef : 128170794

S. Delage

Fonction : Auteur

Jean-Claude de Jaeger

Fonction : Auteur
PersonId : 747322
IdHAL : jean-claude-dejaeger

Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00146691

Soumis le : mardi 15 mai 2007-11:28:38

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00146691 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00146691 , version 1

Citer

M. Werquin, Christophe Gaquière, N. Vellas, E. Delos, D. Ducatteau, et al.. Influence de la température sur les caractéristiques pulsées statiques et hyperfréquences des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium résistif (111). 2003, pp.1D-13. ⟨hal-00146691⟩

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