Communication Dans Un Congrès
Année : 2003
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https://hal.science/hal-00146689
Soumis le : mardi 15 mai 2007-11:28:38
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00146689 , version 1
Citer
D. Schreus, N. Vellas, Christophe Gaquière, Marie Germain, G. Borghs. Behavioural model for AlGaN/GaN HEMT's on sapphire and SiC constructed from multi-bias signal measurements. 27th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2003, 2003, Fürigen, Switzerland. ⟨hal-00146689⟩
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