Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2003
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00146665
Soumis le : mardi 15 mai 2007-11:12:00
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00146665 , version 1
Citer
A. Curutchet, N. Malbert, N. Touboul, Christophe Gaquière, A. Minko, et al.. Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMTs grown on silicon, SiC and sapphire substrates. Microelectronics Reliability, 2003, 43, pp.1713-1718. ⟨hal-00146665⟩
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