Compensation mechanisms in low-temperature-grown Ga1-xMnxAs investigated by scanning tunneling spectroscopy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2003

Compensation mechanisms in low-temperature-grown Ga1-xMnxAs investigated by scanning tunneling spectroscopy

Gauthier Mahieu
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
B. Grandidier
CV
Jean-Philippe Nys
  • Fonction : Auteur
Guy Allan
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 747968
  • IdHAL : guy-allan
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Didier Stiévenard
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Philipp Ebert
  • Fonction : Auteur
Yuji Higo
  • Fonction : Auteur
M. Tanaka
  • Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00146589

Soumis le : mardi 15 mai 2007-10:31:37

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146589 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

Citer

Gauthier Mahieu, B. Grandidier, Jean-Philippe Nys, Guy Allan, Didier Stiévenard, et al.. Compensation mechanisms in low-temperature-grown Ga1-xMnxAs investigated by scanning tunneling spectroscopy. Applied Physics Letters, 2003, 82, pp.712-714. ⟨10.1063/1.1522821⟩. ⟨hal-00146589⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
13 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More