Communication Dans Un Congrès
Année : 2005
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00146549
Soumis le : mardi 15 mai 2007-10:13:32
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:37:16
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00146549 , version 1
Citer
L. Thévenod M. Cassé M. Mouis G. Reimbold F. Fillot B. Guillaumot F. Boulanger. Influence of TiN Metal Gate on Si/SiO2 Surface Roughness in N and PMOSFETs. International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS'2005, 2005, pp.XX. ⟨hal-00146549⟩
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