Amélioration du fmax des HEMTs InAlAs/InGaAs sur substrat d'InP de longueur de grille 70nm par optimisation de la structure de couche

I. Duszynski; T. Parenty; S. Bollaert; H. Happy; J. Mateos; X. Wallart; A. Cappy

Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Amélioration du fmax des HEMTs InAlAs/InGaAs sur substrat d'InP de longueur de grille 70nm par optimisation de la structure de couche

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1

I. Duszynski

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

T. Parenty

Fonction : Auteur

S. Bollaert

Fonction : Auteur
PersonId : 746374
IdHAL : sylvain-bollaert
ORCID : 0000-0002-3812-4389
IdRef : 108875415

H. Happy

Fonction : Auteur
PersonId : 748086
IdHAL : henri-happy
ORCID : 0000-0003-2065-8080
IdRef : 103891455

J. Mateos

Fonction : Auteur
PersonId : 757584
ORCID : 0000-0003-4041-7145

X. Wallart

Fonction : Auteur
PersonId : 741251
IdHAL : xavier-wallart
ORCID : 0000-0002-0915-0043
IdRef : 03424879X

A. Cappy

Fonction : Auteur
PersonId : 9716
IdHAL : alain-cappy
ORCID : 0000-0002-1811-1054
IdRef : 056754701

Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00145993

Soumis le : lundi 14 mai 2007-09:33:58

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00145993 , version 1 (14-05-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00145993 , version 1

Citer

I. Duszynski, T. Parenty, S. Bollaert, H. Happy, J. Mateos, et al.. Amélioration du fmax des HEMTs InAlAs/InGaAs sur substrat d'InP de longueur de grille 70nm par optimisation de la structure de couche. 2003, pp.2B1-1. ⟨hal-00145993⟩

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