Carrier transport in HfO2 metal gate MOSFETs : a physical insight into critical parameters - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2006

Carrier transport in HfO2 metal gate MOSFETs : a physical insight into critical parameters

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00145521

Soumis le : jeudi 10 mai 2007-15:18:43

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:26:35

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Dates et versions

hal-00145521 , version 1 (10-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145521 , version 1

Citer

M. Cassé L. Thévenod B. Guillaumot L. Tosti F. Martin J. Mitard O. Weber F. Andrieu T. Ernst G. Reimbold T. Billon M. Mouis F. Boulanger. Carrier transport in HfO2 metal gate MOSFETs : a physical insight into critical parameters. IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 53 n°4, pp.759-768. ⟨hal-00145521⟩

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