Physical analysis of the breakdown phenomenon between single or double step gate recess HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Physical analysis of the breakdown phenomenon between single or double step gate recess HEMTs

M. Elkhou
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Michel Rousseau
H. Gerard
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00142307

Soumis le : mercredi 18 avril 2007-11:15:07

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00142307 , version 1 (18-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00142307 , version 1

Citer

M. Elkhou, Michel Rousseau, H. Gerard, Jean-Claude de Jaeger. Physical analysis of the breakdown phenomenon between single or double step gate recess HEMTs. 2004, pp.571-574. ⟨hal-00142307⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
13 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More