Atomic-scale observation of dopant atoms in GaAs - Archive ouverte HAL

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Article Dans Une Revue PICO : The Omicron NanoTechnology Newsletter Année : 2004

Atomic-scale observation of dopant atoms in GaAs

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G. Mahieu

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

D. Deresmes

Fonction : Auteur
PersonId : 747609
IdHAL : dominique-deresmes
ORCID : 0000-0002-4238-3842

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

B. Grandidier

Fonction : Auteur
PersonId : 740217
IdHAL : bruno-grandidier
ORCID : 0000-0001-6131-7309
IdRef : 084580135

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Physique - IEMN

J.P. Nys

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

D. Stievenard

Fonction : Auteur
PersonId : 747967
IdHAL : didier-stievenard

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00142060

Soumis le : mardi 17 avril 2007-11:26:14

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00142060 , version 1 (17-04-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00142060 , version 1

Citer

G. Mahieu, D. Deresmes, B. Grandidier, J.P. Nys, D. Stievenard. Atomic-scale observation of dopant atoms in GaAs. PICO : The Omicron NanoTechnology Newsletter, 2004, 8, pp.6-7. ⟨hal-00142060⟩

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