Communication Dans Un Congrès
Année : 2004
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https://hal.science/hal-00141970
Soumis le : mardi 17 avril 2007-08:50:48
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00141970 , version 1
Citer
S.L. Rumyantsev, M. Shur, W. Knap, N. Dyakonova, F. Pascal, et al.. 1/f noise and ballistic mobility in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors in high magnetic fields. 2004, pp.277-85. ⟨hal-00141970⟩
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