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Communication Dans Un Congrès Année : 2004

1/f noise and ballistic mobility in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors in high magnetic fields

S.L. Rumyantsev
  • Fonction : Auteur
M. Shur
  • Fonction : Auteur
W. Knap
  • Fonction : Auteur
N. Dyakonova
  • Fonction : Auteur
F. Pascal
A. Hoffman
  • Fonction : Auteur
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
D. Theron

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https://hal.science/hal-00141970

Soumis le : mardi 17 avril 2007-08:50:48

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00141970 , version 1 (17-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00141970 , version 1

Citer

S.L. Rumyantsev, M. Shur, W. Knap, N. Dyakonova, F. Pascal, et al.. 1/f noise and ballistic mobility in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors in high magnetic fields. 2004, pp.277-85. ⟨hal-00141970⟩

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