Contribution à l'optimisation de transistors à effet de champ MESFET à base de carbure de silicium 4 H pour applications en amplification de puissance RF/hyperfréquence - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Autre Publication Scientifique Année : 2004

Contribution à l'optimisation de transistors à effet de champ MESFET à base de carbure de silicium 4 H pour applications en amplification de puissance RF/hyperfréquence

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https://hal.science/hal-00141954

Soumis le : mardi 17 avril 2007-08:33:52

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00141954 , version 1 (17-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00141954 , version 1

Citer

A. Kerlain. Contribution à l'optimisation de transistors à effet de champ MESFET à base de carbure de silicium 4 H pour applications en amplification de puissance RF/hyperfréquence. 2004. ⟨hal-00141954⟩

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