High temperature nucleation of cubic silicon carbide on (0001) hexagonal SiC nominal surfaces

L. Latu-Romain; D. Chaussende; M. Pons

Article Dans Une Revue Crystal Growth & Design Année : 2006

High temperature nucleation of cubic silicon carbide on (0001) hexagonal SiC nominal surfaces

(1) , (1) , (2)

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2

L. Latu-Romain

Fonction : Auteur
PersonId : 21942
IdHAL : laurence-latu-romain
ORCID : 0000-0002-9422-9636
IdRef : 117889814

Laboratoire des matériaux et du génie physique

D. Chaussende

Fonction : Auteur
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ORCID : 0000-0002-4180-8749
IdRef : 069663831

Laboratoire des matériaux et du génie physique

CV

M. Pons

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IdHAL : michel-pons
ORCID : 0000-0002-5833-6063
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Laboratoire de thermodynamique et physico-chimie métallurgiques

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Matériaux Génie des procédés

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https://hal.science/hal-00141565

Soumis le : vendredi 13 avril 2007-11:50:59

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Dates et versions

hal-00141565 , version 1 (13-04-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00141565 , version 1

Citer

L. Latu-Romain, D. Chaussende, M. Pons. High temperature nucleation of cubic silicon carbide on (0001) hexagonal SiC nominal surfaces. Crystal Growth & Design, 2006, 6 (12), pp.2788-2794. ⟨hal-00141565⟩

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