On the modelling of transient diffusion and activation of boron during post-implantation annealing - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

On the modelling of transient diffusion and activation of boron during post-implantation annealing

P. Pichler
  • Fonction : Auteur
C.J. Ortiz
  • Fonction : Auteur
B. Colombeau
  • Fonction : Auteur
N.E.B. Cowern
  • Fonction : Auteur
E. Lampin
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Alain Claverie
Fuccio Cristiano
CV
W. Lerch
  • Fonction : Auteur
S. Paul
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00141013

Soumis le : mercredi 11 avril 2007-11:05:46

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00141013 , version 1 (11-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00141013 , version 1

Citer

P. Pichler, C.J. Ortiz, B. Colombeau, N.E.B. Cowern, E. Lampin, et al.. On the modelling of transient diffusion and activation of boron during post-implantation annealing. International Electron Devices Meeting, IEDM 2004, 2004, San Francisco, CA, United States. ⟨hal-00141013⟩

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