Communication Dans Un Congrès
Année : 2004
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https://hal.science/hal-00141013
Soumis le : mercredi 11 avril 2007-11:05:46
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00141013 , version 1
Citer
P. Pichler, C.J. Ortiz, B. Colombeau, N.E.B. Cowern, E. Lampin, et al.. On the modelling of transient diffusion and activation of boron during post-implantation annealing. International Electron Devices Meeting, IEDM 2004, 2004, San Francisco, CA, United States. ⟨hal-00141013⟩
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