Transmission electron microscopy of iridium silicide contacts for advanced MOSFET structures with Schottky source and drain - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Alloys and Compounds Année : 2004

Transmission electron microscopy of iridium silicide contacts for advanced MOSFET structures with Schottky source and drain

A. Laszcz
  • Fonction : Auteur
J. Katcki
  • Fonction : Auteur
J. Ratajczak
  • Fonction : Auteur
G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Emmanuel Dubois
CV
X. Wallart

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https://hal.science/hal-00140977

Soumis le : mercredi 11 avril 2007-10:30:57

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00140977 , version 1 (11-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00140977 , version 1

Citer

A. Laszcz, J. Katcki, J. Ratajczak, G. Larrieu, Emmanuel Dubois, et al.. Transmission electron microscopy of iridium silicide contacts for advanced MOSFET structures with Schottky source and drain. Journal of Alloys and Compounds, 2004, 382, pp.24-28. ⟨hal-00140977⟩

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