Aluminum, oxide and silicon phonons by IETS on MOS tunnel junctions : accurate determination and effect of electrical stress

C. Petit; G. Salace; D. Vuillaume

Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2004

Aluminum, oxide and silicon phonons by IETS on MOS tunnel junctions : accurate determination and effect of electrical stress

(1) , ,

1

C. Petit

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

G. Salace

Fonction : Auteur

D. Vuillaume

Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Fichier principal

Petit_2004_1.1775299.pdf (564.89 Ko)

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https://hal.science/hal-00140733

Soumis le : mercredi 25 mai 2022-16:01:30

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00140733 , version 1 (25-05-2022)

Identifiants

HAL Id : hal-00140733 , version 1

Citer

C. Petit, G. Salace, D. Vuillaume. Aluminum, oxide and silicon phonons by IETS on MOS tunnel junctions : accurate determination and effect of electrical stress. Journal of Applied Physics, 2004, 96, pp.5042-5049. ⟨hal-00140733⟩

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