In-situ infrared absorption spectroscopy of HfO2 growth by atomic layer deposition on Si(100) and Si(111) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

In-situ infrared absorption spectroscopy of HfO2 growth by atomic layer deposition on Si(100) and Si(111)

Y. Wang
  • Fonction : Auteur
Y.J. Chabal
  • Fonction : Auteur
M.T. Ho
  • Fonction : Auteur
L.S. Wielunski
  • Fonction : Auteur
L. Goncharova
  • Fonction : Auteur
T. Gustafsson
  • Fonction : Auteur
G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
M. Tao
  • Fonction : Auteur
M. Boleslawski
  • Fonction : Auteur
N. Moumen
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00139248

Soumis le : vendredi 30 mars 2007-08:51:27

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00139248 , version 1 (30-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00139248 , version 1

Citer

Y. Wang, Y.J. Chabal, M.T. Ho, L.S. Wielunski, L. Goncharova, et al.. In-situ infrared absorption spectroscopy of HfO2 growth by atomic layer deposition on Si(100) and Si(111). Proceedings of the AVS 5th International Conference on Atomic Layer Deposition, ALD 2005, 2005, San Jose, CA, United States. ⟨hal-00139248⟩

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