Fabrication and electrical properties of lead zirconate titanate thick films on Si substrate by using lanthanum nickelate buffer layer - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of the American Ceramic Society Année : 2006

Fabrication and electrical properties of lead zirconate titanate thick films on Si substrate by using lanthanum nickelate buffer layer

Gang Wang
  • Fonction : Auteur
Denis Remiens
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
El Hadj Dogheche
R. Herdier
  • Fonction : Auteur
X.L. Dong
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00138715

Soumis le : mardi 27 mars 2007-11:07:15

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138715 , version 1 (27-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138715 , version 1

Citer

Gang Wang, Denis Remiens, El Hadj Dogheche, R. Herdier, X.L. Dong. Fabrication and electrical properties of lead zirconate titanate thick films on Si substrate by using lanthanum nickelate buffer layer. Journal of the American Ceramic Society, 2006, 89, pp.3417-3420. ⟨hal-00138715⟩

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