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Communication Dans Un Congrès Année : 2006

TEM study of PtSi contact layers for accumulated low Schottky barrier MOSFET

A. Łaszcz
  • Fonction : Auteur
J. Katcki
  • Fonction : Auteur
J. Ratajczak
  • Fonction : Auteur
A. Czerwinski
  • Fonction : Auteur
N. Breil
  • Fonction : Auteur
Emmanuel Dubois
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV
G. Larrieu
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00138674

Soumis le : mardi 27 mars 2007-10:40:23

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138674 , version 1 (27-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138674 , version 1

Citer

A. Łaszcz, J. Katcki, J. Ratajczak, A. Czerwinski, N. Breil, et al.. TEM study of PtSi contact layers for accumulated low Schottky barrier MOSFET. 2006, pp.U/PI.24. ⟨hal-00138674⟩

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