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Etudes théoriques et expérimentales de transistors HEMT's de la filière nitrure de gallium pour les applications de puissance hyperfréquences

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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00138586
Contributor : Collection Iemn Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Tuesday, March 27, 2007 - 8:25:56 AM
Last modification on : Tuesday, October 19, 2021 - 6:37:48 PM

Identifiers

  • HAL Id : hal-00138586, version 1

Citation

M. Werquin. Etudes théoriques et expérimentales de transistors HEMT's de la filière nitrure de gallium pour les applications de puissance hyperfréquences. 2005. ⟨hal-00138586⟩

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