Communication Dans Un Congrès
Année : 2005
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https://hal.science/hal-00138408
Soumis le : lundi 26 mars 2007-11:18:48
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00138408 , version 1
Citer
A. Laszcz, J. Katcki, J. Ratajczak, A. Czerwinski, Emmanuel Dubois, et al.. TEM characterisation of accumulation low Schottky barrier MOSFET with PtSi contacts. School on Materials Science and Electron Microscopy, Microscopy of Tomorrow's Industrial Materials, 2005, Berlin, Germany. ⟨hal-00138408⟩
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