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Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Impact of the intrinsic parameters of the dielectric on the leakage current

G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
M. Tao
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00138407

Soumis le : lundi 26 mars 2007-11:18:46

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138407 , version 1 (26-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138407 , version 1

Citer

G. Larrieu, M. Tao. Impact of the intrinsic parameters of the dielectric on the leakage current. 2nd International Workshop on Advanced Gate Stack Technology, 2005, Austin, TX, United States. ⟨hal-00138407⟩

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