Impact of large angle tilt implantation on the threshold voltages of LDMOS transistor on SOI - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Impact of large angle tilt implantation on the threshold voltages of LDMOS transistor on SOI

H. Xu
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
E. Lampin
  • Fonction : Auteur
Emmanuel Dubois
CV
F. Murray
  • Fonction : Auteur
S. Bardy
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00138400

Soumis le : lundi 26 mars 2007-11:04:55

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138400 , version 1 (26-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138400 , version 1

Citer

H. Xu, E. Lampin, Emmanuel Dubois, F. Murray, S. Bardy. Impact of large angle tilt implantation on the threshold voltages of LDMOS transistor on SOI. 2005, pp.D-VI.08. ⟨hal-00138400⟩

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