Integration of PtSi-based Schottky-barrier p-MOSFETs with a midgap tungsten gate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2005

Integration of PtSi-based Schottky-barrier p-MOSFETs with a midgap tungsten gate

G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Emmanuel Dubois
CV

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https://hal.science/hal-00138397

Soumis le : lundi 26 mars 2007-11:04:55

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138397 , version 1 (26-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138397 , version 1

Citer

G. Larrieu, Emmanuel Dubois. Integration of PtSi-based Schottky-barrier p-MOSFETs with a midgap tungsten gate. IEEE Transactions on Electron Devices, 2005, 52, pp.2720-2726. ⟨hal-00138397⟩

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