100nm InAlAS/InGaAs double-gate HEMT using transferred substrate

Nicolas Wichmann; I. Duszynski; S. Bollaert; J. Mateos; X. Wallart; A. Cappy

Communication Dans Un Congrès Année : 2004

100nm InAlAS/InGaAs double-gate HEMT using transferred substrate

(1) , , , , ,

1

Nicolas Wichmann

Fonction : Auteur
PersonId : 748104
IdHAL : nicolas-wichmann

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

I. Duszynski

Fonction : Auteur

S. Bollaert

Fonction : Auteur
PersonId : 746374
IdHAL : sylvain-bollaert
ORCID : 0000-0002-3812-4389
IdRef : 108875415

J. Mateos

Fonction : Auteur
PersonId : 757584
ORCID : 0000-0003-4041-7145

X. Wallart

Fonction : Auteur
PersonId : 741251
IdHAL : xavier-wallart
ORCID : 0000-0002-0915-0043
IdRef : 03424879X

A. Cappy

Fonction : Auteur
PersonId : 9716
IdHAL : alain-cappy
ORCID : 0000-0002-1811-1054
IdRef : 056754701

Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00133886

Soumis le : mercredi 28 février 2007-09:50:38

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00133886 , version 1 (28-02-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00133886 , version 1

Citer

Nicolas Wichmann, I. Duszynski, S. Bollaert, J. Mateos, X. Wallart, et al.. 100nm InAlAS/InGaAs double-gate HEMT using transferred substrate. 2004, pp.1023-1026. ⟨hal-00133886⟩

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