Influence of a tunneling gate current on the noise performance of SOI MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Influence of a tunneling gate current on the noise performance of SOI MOSFETs

G. Pailloncy
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
B. Iniguez
  • Fonction : Auteur
Gilles Dambrine
Francois Danneville

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https://hal.science/hal-00133883

Soumis le : mercredi 28 février 2007-09:50:37

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00133883 , version 1 (28-02-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00133883 , version 1

Citer

G. Pailloncy, B. Iniguez, Gilles Dambrine, Francois Danneville. Influence of a tunneling gate current on the noise performance of SOI MOSFETs. 2004, pp.55-57. ⟨hal-00133883⟩

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