Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2004
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00133868
Soumis le : mercredi 28 février 2007-09:35:02
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00133868 , version 1
Citer
Nicolas Wichmann, I. Duszynski, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy. InAlAs-InGaAs double-gate HEMTs on transferred substrate. IEEE Electron Device Letters, 2004, 25, pp.354-356. ⟨hal-00133868⟩
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