Design optimization of AlInAs-GaInAs HEMTs for high frequency applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2004

Design optimization of AlInAs-GaInAs HEMTs for high frequency applications

J. Mateos
T. Gonzales
  • Fonction : Auteur
D. Pardo
  • Fonction : Auteur
S. Bollaert
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
T. Parenty
  • Fonction : Auteur
A. Cappy

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https://hal.science/hal-00133866

Soumis le : mercredi 28 février 2007-09:35:01

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00133866 , version 1 (28-02-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00133866 , version 1

Citer

J. Mateos, T. Gonzales, D. Pardo, S. Bollaert, T. Parenty, et al.. Design optimization of AlInAs-GaInAs HEMTs for high frequency applications. IEEE Transactions on Electron Devices, 2004, 51, pp.521-528. ⟨hal-00133866⟩

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