Evidence for a dose dependence for thermal redistribution of implanted silicon in SiO2 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Année : 2007

Evidence for a dose dependence for thermal redistribution of implanted silicon in SiO2

D. Mathiot
  • Fonction : Auteur
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
M. Perego
  • Fonction : Auteur
M. Fanciulli
  • Fonction : Auteur
Gérard Benassayag
CV

Marie-Anne Jung  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00128445

Soumis le : jeudi 1 février 2007-11:50:23

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00128445 , version 1 (01-02-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00128445 , version 1

Citer

D. Mathiot, M. Perego, M. Fanciulli, Gérard Benassayag. Evidence for a dose dependence for thermal redistribution of implanted silicon in SiO2. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2007, 254, pp. 139-142. ⟨hal-00128445⟩

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