The effects of self-assembled monolayers gate dielectrics treatment on pentacene thin film transistor characteristics - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

The effects of self-assembled monolayers gate dielectrics treatment on pentacene thin film transistor characteristics

R. Bianchini
  • Fonction : Auteur
S. Lenfant
David Troadec
D. Vuillaume
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00127157 , version 1 (29-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00127157 , version 1

Citer

K. Lmimouni, R. Bianchini, S. Lenfant, David Troadec, D. Vuillaume. The effects of self-assembled monolayers gate dielectrics treatment on pentacene thin film transistor characteristics. Indo-French workshop on molecular and organic devices, 2006, Lille, France. ⟨hal-00127157⟩
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