Free-carrier absorption and growth temperature of highly Be-doped InGaAs in molecular beam epitaxy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2006

Free-carrier absorption and growth temperature of highly Be-doped InGaAs in molecular beam epitaxy

D. Vignaud
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
M. Zaknoune
F. Mollot

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https://hal.science/hal-00127061

Soumis le : lundi 29 janvier 2007-09:56:09

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-00127061 , version 1 (29-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00127061 , version 1

Citer

D. Vignaud, M. Zaknoune, F. Mollot. Free-carrier absorption and growth temperature of highly Be-doped InGaAs in molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, 2006, 291, pp.107-111. ⟨hal-00127061⟩

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