Réalisation et caractérisation de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de longueur de grille sub-50 nanomètres et de transistors sans couche tampon

I. Duszynski

Autre Publication Scientifique Année : 2005

Réalisation et caractérisation de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de longueur de grille sub-50 nanomètres et de transistors sans couche tampon

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I. Duszynski

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00126203

Soumis le : mercredi 24 janvier 2007-10:40:56

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00126203 , version 1 (24-01-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00126203 , version 1

Citer

I. Duszynski. Réalisation et caractérisation de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de longueur de grille sub-50 nanomètres et de transistors sans couche tampon. 2005. ⟨hal-00126203⟩

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