Reactive ion etching of a 20 nanometers tungsten gate using a SF6/N2 chemistry and hydrogen silsesquioxane hard mask resist - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2005

Reactive ion etching of a 20 nanometers tungsten gate using a SF6/N2 chemistry and hydrogen silsesquioxane hard mask resist

G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Emmanuel Dubois
CV

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https://hal.science/hal-00125635

Soumis le : lundi 22 janvier 2007-10:27:53

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00125635 , version 1 (22-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00125635 , version 1

Citer

G. Larrieu, Emmanuel Dubois. Reactive ion etching of a 20 nanometers tungsten gate using a SF6/N2 chemistry and hydrogen silsesquioxane hard mask resist. Journal of Vacuum Science and Technology, 2005, 23, pp.2046-2050. ⟨hal-00125635⟩

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