Thickness dependent morphology and resistivity of ultra-thin Al films on Si(111) by molecular beam expitaxy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Thickness dependent morphology and resistivity of ultra-thin Al films on Si(111) by molecular beam expitaxy

D.K. Aswal
  • Fonction : Auteur
N. Joshi
  • Fonction : Auteur
A.K. Debnath
  • Fonction : Auteur
S.K. Gupta
  • Fonction : Auteur
D. Vuillaume
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
J.V. Yakhmi
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00125603

Soumis le : lundi 22 janvier 2007-09:21:13

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00125603 , version 1 (22-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00125603 , version 1

Citer

D.K. Aswal, N. Joshi, A.K. Debnath, S.K. Gupta, D. Vuillaume, et al.. Thickness dependent morphology and resistivity of ultra-thin Al films on Si(111) by molecular beam expitaxy. Trends in NanoTechnology, TNT 2005, 2005, Oviedo, Spain. ⟨hal-00125603⟩

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