Fowler-Nordheim tunnelling and electrically stressed breakdown of 3-mercaptopropyltrimethoxysilane self-assembled monolayers - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2005

Fowler-Nordheim tunnelling and electrically stressed breakdown of 3-mercaptopropyltrimethoxysilane self-assembled monolayers

D. K. Aswal
  • Fonction : Auteur
S. Lenfant
CV
David Guérin
J. V. Yakhmi
  • Fonction : Auteur
D. Vuillaume
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00125584

Soumis le : lundi 22 janvier 2007-08:32:24

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00125584 , version 1 (22-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00125584 , version 1

Citer

D. K. Aswal, S. Lenfant, David Guérin, J. V. Yakhmi, D. Vuillaume. Fowler-Nordheim tunnelling and electrically stressed breakdown of 3-mercaptopropyltrimethoxysilane self-assembled monolayers. Nanotechnology, 2005, 16, pp.3064-3068. ⟨hal-00125584⟩

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