Low power 23 GHz and 27 GHz distributed cascode amplifiers in a standard 130 nm SOI CMOS process

C. Pavageau; A. Siligaris; L. Picheta; Francois Danneville; M. Si Moussa; J.P. Raskin; D. Vanhoenacker-Janvier; J. Russat; N. Fel

Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Low power 23 GHz and 27 GHz distributed cascode amplifiers in a standard 130 nm SOI CMOS process

, , (1) , , , , , ,

1

C. Pavageau

Fonction : Auteur

A. Siligaris

Fonction : Auteur

L. Picheta

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Francois Danneville

Fonction : Auteur
PersonId : 747124
IdHAL : francois-danneville
ORCID : 0000-0002-4725-0010

M. Si Moussa

Fonction : Auteur

J.P. Raskin

Fonction : Auteur

D. Vanhoenacker-Janvier

Fonction : Auteur

J. Russat

Fonction : Auteur

N. Fel

Fonction : Auteur

Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00125311

Soumis le : vendredi 19 janvier 2007-08:17:08

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00125311 , version 1 (19-01-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00125311 , version 1

Citer

C. Pavageau, A. Siligaris, L. Picheta, Francois Danneville, M. Si Moussa, et al.. Low power 23 GHz and 27 GHz distributed cascode amplifiers in a standard 130 nm SOI CMOS process. 2005, pp.2243-2246. ⟨hal-00125311⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE

15 Consultations

0 Téléchargements

Low power 23 GHz and 27 GHz distributed cascode amplifiers in a standard 130 nm SOI CMOS process

Dates et versions

Identifiants

Citer

Exporter

Collections

Partager