Oriented lithium niobate layers transferred on 4'' (100) silicon wafer for RF SAW devices

Marc Solal (1) , Thomas Pastureaud (1) , Sylvain Ballandras (2) , Bernard Aspar (3) , Béatrice Biasse (3) , William Daniau (2) , William Steichen (1) , Vincent Laude (2) , Alain Laens (1)

1 Temex
2 FEMTO-ST - Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174)
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Acoustique [physics.class-ph]; Acoustique [physics.class-ph]

Marc Solal, Thomas Pastureaud, Sylvain Ballandras, Bernard Aspar, Béatrice Biasse, et al.. Oriented lithium niobate layers transferred on 4'' (100) silicon wafer for RF SAW devices. 2002, pp.128-131. ⟨hal-00095997⟩