Polysilicon thin-film transistors based on frequency doubled cw-Nd:YVO4 laser crystallized silicon - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid State Phenomena Année : 2003

Polysilicon thin-film transistors based on frequency doubled cw-Nd:YVO4 laser crystallized silicon

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

France Le Bihan  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00085671

Soumis le : jeudi 13 juillet 2006-12:07:10

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:47

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00085671 , version 1 (13-07-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00085671 , version 1

Citer

Amar Saboundji, Jean-François Michaud, Tayeb Mohammed-Brahim, France Le Bihan, G. Andrä, et al.. Polysilicon thin-film transistors based on frequency doubled cw-Nd:YVO4 laser crystallized silicon. Solid State Phenomena, 2003, 93, pp.55-60. ⟨hal-00085671⟩

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