F Dopped SnO2 Thin Films Properties - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Optoelectronics and Advanced Materials Année : 2006

F Dopped SnO2 Thin Films Properties

A. Bouteville
  • Fonction : Auteur
M. Rusu
  • Fonction : Auteur
G.G. Rusu
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00078903 , version 1 (08-06-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00078903 , version 1

Citer

Mihaela Girtan, A. Bouteville, M. Rusu, G.G. Rusu. F Dopped SnO2 Thin Films Properties. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2006, 8, pp.27-30. ⟨hal-00078903⟩

Collections

CNRS UNIV-ANGERS
22 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More