Article Dans Une Revue
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
Année : 2006
Marie-Thérèse Trumeau : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00078903
Soumis le : jeudi 8 juin 2006-10:19:52
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:47
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00078903 , version 1
Citer
Mihaela Girtan, A. Bouteville, M. Rusu, G.G. Rusu. F Dopped SnO2 Thin Films Properties. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2006, 8, pp.27-30. ⟨hal-00078903⟩
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