Structural properties of Ge-implanted SiO<sub>2</sub> layers and related MOS memory effects - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Structural properties of Ge-implanted SiO2 layers and related MOS memory effects

S. Duguay
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
CV
A. Slaoui
  • Fonction : Auteur
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
J.J. Grob
  • Fonction : Auteur
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
M. Kanoun
  • Fonction : Auteur
S. Burignat
  • Fonction : Auteur
A. Souifi
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00021653

Soumis le : jeudi 23 mars 2006-15:43:49

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:47

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00021653 , version 1 (23-03-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00021653 , version 1

Citer

S. Duguay, A. Slaoui, J.J. Grob, M. Kanoun, S. Burignat, et al.. Structural properties of Ge-implanted SiO2 layers and related MOS memory effects. European Material Research Society (E-MRS) Spring Conference, Symposium on Materials Science and Device Issues for Future Si-based Technologies, 2005, Strasbourg, France. ⟨hal-00021653⟩

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